金刚线切单晶硅片，用传统的制绒方式就可以兼容。而多晶的金刚线切片用现有的各向同性酸制绒方法，得到的反射率非常高多晶硅片切割的主要障碍：金刚线切割的多晶硅片反射率更高，常规的多晶制绒工艺难以达到很好的效果。传统多晶酸制绒工艺通过各项同性腐蚀在硅片表面形成绒面，绒面形貌取决于表面损伤层的分布状态。

图2-1 金刚线多晶硅片表面形貌SEM照片

   金刚线切割的多晶硅片表面，损伤层浅，如果直接使用传统酸制绒工艺制绒，由于HF/HNO3/H2O反应活性很高，金刚线多晶硅片表面的损伤层很快被腐蚀殆尽，导致硅片抛光。

   将一定量的缓蚀剂、挖孔剂、黑丝抑制剂、表面活性剂等，按一定的比例混合配制，直接添加到现有多晶制绒工艺中，可以在金刚线硅片表面形成相对规则的腐蚀坑。

图2-2 添加剂辅助制绒后的金刚线多晶硅片绒面SEM照片